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应新加坡国立大学的邀请，长春理工大学派遣研究员方铉等6人于2024年9月18日至2024年10月1日赴新加坡执行国家外专局出国培训项目，境外停留14天。归国材料已由本团团长签报派出单位审阅，现就相关情况进行汇报如下：
一、 基本情况
出访期间，研究员方铉等6人参加了新加坡国立大学表面与界面实验室在超晶格材料外延生长与表征，III-V族半导体材料及二维材料能带工程理论等领域的相关培训。认真听取了新加坡国立大学陈伟等教授在有机电子器件和二维材料的分子级界面工程、能源与环境研究的界面控制纳米催化等领域的前言报告。与新加坡国立大学的多名国际著名半导体材料专家针对下一步科学研究及国际合作进行了深入的探讨与交流。培训期间，与新加坡国立大学物理系教授商讨解决我校现有外延设备升级事宜，并讨论下一步在纳米光子学等交叉学科领域深度合作的意向。
二、主要成果
执行国家外专局出国培训项目，针对III-V族半导体超晶格材料及纳米光子学新的研究领域，参加新加坡国立大学化学系表面与界面实验室主任陈伟等教授相关培训，学习前沿的有机电子器件与二维材料的分子级界面工程；分子纳米器件的宏观区域自组装分子纳米结构阵列的合理设计等方面知识。同时，通过交流为进一步扩大国际交流与合作奠定基础。
培训期间，方铉研究员以《III-V超晶格材料“结构工程”控制及光电子特性》为题报道了我校在III-V族超晶格材料领域的最新进展。并与国外同行在III-V族材料MBE外延技术、半导体量子阱材料生长、新型光电子材料光谱表征技术等诸多领域展开了具体而深入的讨论。探求该先进技术在半导体材料及纳米光子学领域的新应用。
学习期间，还进入新加坡国立大学化学系表界面工程实验室参观并学习半导体材料外延及表征技术，了解到学生具体的实验过程及实验方法，为我校进一步拓展III-V超晶格材料等相关领域科研方向提供前沿指导。
三、工作建议
1.加快我校在半导体光电子器件及纳米光子学等领域的发展步伐，应积极抢占该技术领域的制高点，提升学校在该领域的国际知名度与影响力，提升学校国际竞争实力；
2.扩大在III-V半导体异质异构超晶格光电子器件集成及应用国际合作与交流，为师生搭建高水平科研平台；
3.提升我校在光学领域与国外联合培养研究生的数量与质量。
现将此出访报告进行公示，公示期5日，如有异议请与国际交流与合作处联系。
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